간접 엑시톤;전자-홀 페어;더블 양자 우물;이차원재료;이종적층;

indirect excitons;electron-hole pair;double quantum wells;2D materials;heterostructures;

표지... 1제 출 문... 2보고서 초록... 3요 약 문... 4SUMMARY... 5CONTENTS... 6목차... 7제 1 장 연구개발과제의 개요... 8제 2 장 국내외 기술개발 현황... 10제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과... 11제 4 장 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 및 연구개발 결과의 활용계획... 17끝페이지... 18

본 연구진은 p타입의 페르미 준위가 n타입의 페르미 준위보다 높은 특수한 밴드 나열 상황의 pn 이종접합 구조를 간접 엑시톤 형성을 위한 새로운 플렛폼으로 모색하였다 이러한 경우 이종재료 접합 시 한쪽 계면에는 전자가 축적되는 반면 맡은 편 계면에는 홀이 축적될 수 있다 즉 전자와 홀이 계면에 지극히 가깝게 위치하게 되지만 두 전자홀 사이의 에너지 장벽에 ...

To probe for gatetunable indirect excitons our research team explored a pn heterostructure with a particular band alignment in which the Fermi level of the ptype semiconductor is higher than that of t...